中国无锡，2025年9月4日 —— 在第十三届半导体建造与中枢部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微半导体建造（上海）股份有限公司（以下简称 “中微公司”，股票代码：688012.SH）晓示重磅推出六款半导体建造新家具。这些建造掩饰等离子体刻蚀（Etch）、原子层千里积（ALD）及外延（EPI）等要害工艺，不仅充分彰显了中微公司在时期鸿沟的硬核实力，更进一步安靖了其在高端半导体建造市集的当先地位，为加快向高端建造平台化公司转型注入强盛新动能。

开幕式上，中微公司董事长兼总司理尹志尧博士在主旨叙述设施谨慎晓示了六款新建造的发布，并久了推崇了新家具的先进性能与突出上风。他强调，中微公司长久以市集与客户需求为导向，捏续加大研发力度。公司2025年上半年研发插足达14.92亿元，同比增长约53.70%，研发插足占公司买卖收入比例约为30.07%，远高于科创板上市公司10%到15%的平均研发插足水平。当今，公司在研样式涵盖六大类、超二十款新建造，研发速率兑现跨越式升迁 —— 曩昔一款新建造的设备周期接续为3到5年，如今仅需2年以致更短期间就能推出极具市集竞争力的家具并班师落地。

尹志尧博士在开幕式上作念主旨叙述

刻蚀时期再登攀峰

两款新品又增中枢竞争力

在刻蚀时期方面，中微公司这次发布的两款新品差异在极文明宽比刻蚀及金属刻蚀鸿沟为客户提供了当先和高效的处理决策。

中微公司新一代极文明宽比等离子体刻蚀“利器”—— CCP 电容性高能等离子体刻蚀机Primo UD-RIE®基于锻练的 Primo HD-RIE®野心架构并全面升级，配备六个单响应台响应腔，通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，不错餍足极文明宽比刻蚀的严苛条件，兼顾刻蚀精度与坐蓐后果。

Primo UD-RIE®引入了多项立异时期，自主研发的动态边际阻抗改变系统通过改变晶圆边际等离子体壳层改变边际深孔刻蚀的垂直性，大大提高了晶圆边际的及格率。其上电极多区温控系统，优化了高射频功率下的散热管束，灵验升迁了建造的判辨性和可靠性。同期，Primo UD-RIE®还领受了全新的温度可切换多区控温静电吸盘和主动控温边际组件，不仅提高了抗电弧放电才智，还显赫升迁了晶圆边际的良率，为坐蓐先进存储芯片提供了有劲保险。

中微公司Primo UD-RIE®

同步亮相的Primo Menova™ 12 寸ICP 单腔刻蚀建造，专注于金属刻蚀鸿沟，尤其擅长金属 Al 线、Al 块刻蚀，普通适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺的中枢建造。这款建造延续了中微公司量产机型Primo Nanova®的优秀基因，在刻蚀均一性限度方面阐扬超卓，可兑现高速率、高遴荐等到低底层介质损害等优异性能。同期，其高效腔体清洁工艺能灵验减少腔室稠浊、延伸捏续初始期间；集成的高温水蒸气除胶腔室（VoDM strip chamber）可高效铲除金属刻蚀后晶圆名义残留的光刻胶及副产物。此外，主刻蚀腔体与除胶腔体可说明客户工艺需求生动组合，最大轨则餍足高坐蓐后果条件，确保高负荷坐蓐中的判辨性与良率。本年6月，该建造的公共首台机已付运到客户认证，进展班师，并和更多的客户伸开合营。

中微公司Primo Menova™

薄膜千里积布局升级

Preforma Uniflash® 系列填补空缺

在这次新品发布中，中微公司推出的12英寸原子层千里积家具 Preforma Uniflash® 金属栅系列，成为薄膜千里积鸿沟的一大亮点。该系列涵盖Preforma Uniflash® TiN、Preforma Uniflash® TiAI及Preforma Uniflash® TaN三大众具，简略餍足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的期骗需求。

Preforma Uniflash® 金属栅系列家具领受中微公司始创的双响应台野心，系统可生动成就多达五个双响应台响应腔，餍足高真空系统工艺集成需求的同期兑现业界当先的坐蓐后果。该系列家具搭载中微公司突出的多级匀气混气系统，交融基于模子算法的加热系统野心，以及可兑现高效原子层千里积响应的响应腔流导野心等中枢时期，不仅能餍足先进逻辑客户的性能需求，其建造在薄膜均一性、稠浊物限度才智及坐蓐后果方面均达到寰球先进水平。

跟着半导体时期的迭代升级，原子层千里积时期的期骗需求捏续攀升。其中，金属栅期骗当作先进逻辑器件的要害设施，对建造的薄膜厚度和特点的精确限度、台阶掩饰率、颗粒物稠浊限度及系统整合才智均建议了极高条件。Preforma Uniflash® 系列的推出，不仅进一步丰富了中微公司的薄膜建造家具线，更以其在高精度、高性能原子层千里积鸿沟的时期实力，兑现了半导体工艺期骗上的全新毁坏，为中微公司历久发伸开辟了更为广泛的空间。

中微公司Preforma Uniflash® 金属栅系列

坚捏毁坏立异

构建多元家具矩阵

中微公司在新兴时期鸿沟的布局同样令东说念主注意，其发布的公共首款双腔减压外延建造 PRIMIO Epita® RP，凭借突出野心成为行业焦点。当作当今市集上突出的双腔野心外延减压建造，其响应腔体积为公共最小，且可生动成就多至6个响应腔，在显赫裁减坐蓐本钱与化学品破钞的同期，兑现了高坐蓐后果。该建造搭载领有竣工自主常识产权的双腔野心、多层寂寥限度气体分区，以及具备多个径向改变才智的温场和温控野心，确保了优秀的流场与温场均匀性及改变才智。凭借超卓的工艺适合性和兼容性，该建造可餍足从锻练到先进节点的逻辑、存储和功率器件等多鸿沟外延工艺需求。前年8月，该建造已付运到客户进行锻练制程和先进制程考证，进展班师，并将和更多的客户伸开合营。

中微公司PRIMIO Epita® RP

当作国内高端半导体建造制造的领军者，中微公司的时期实力已得到公共市集的普通招供。其等离子体刻蚀建造已期骗于国外一线客户从65纳米到14纳米、7纳米、5纳米偏执他先进集成电路加工制造坐蓐线，以及先进存储、先进封装坐蓐线。其中，CCP 电容性高能等离子体刻蚀机和 ICP 电理性板滞等离子体刻蚀机可掩饰国内95% 以上的刻蚀期骗需求，在性能、判辨性等方面餍足客户先进制程的严苛条件。扫尾2025年6月底，公司累计已有超6800台等离子体刻蚀和化学薄膜建造的响应台，在国表里155条坐蓐线兑现量产和大限制重迭性销售，深度融入公共半导体产业链。

中微公司长久坚捏毁坏立异，强调 “时期的立异、家具的各异化和常识产权保护”，公司当今在研样式涵盖六类建造、超二十款新建造的设备，包括新一代的CCP高能等离子体刻蚀建造、新一代的ICP板滞等离子体刻蚀建造，晶圆边际刻蚀建造，低压热化学千里积LPCVD及原子水平千里积ALD等薄膜建造、硅和锗硅外延EPI建造，新一代等离子体源的PECVD建造和电子束量检测等建造。在泛半导体微不雅制造鸿沟，中微公司也在不断拓展家具布局，包括制造氮化镓基发光二极管，Mini-LED和Micro-LED的MOCVD建造，用于红黄光LED的MOCVD建造，制造碳化硅和氮化镓功率器件的MOCVD建造，制造MEMS的深硅刻蚀建造，先进封装Chiplet所需的TSV刻蚀建造和PVD建造，新式披露时期鸿沟所需的中枢薄膜及等离子体刻蚀建造等。

改日，中微公司将对准“打造寰球级装备企业”战术方针，捏续设备高端建造家具，不断升迁家具的性能和质料、提高运营后果和风险管控才智，厚爱贯彻“五个十大”的企业文化，即“家具设备十大原则”、“战术销售十大准则”、“营运管束十大章法”、“精神文化十大格调”和“同样才智十大重点”，坚捏三维立体发展战术，坚捏有机滋长和外延扩张的策略，兑现高速、判辨、健康和安全的高质料发展，力求尽早成为高端建造平台化公司，在限制上和竞争力上成为国外一流的半导体建造公司！

中微公司发展壮大的“五个十大”

对于中微半导体建造（上海）股份有限公司

中微半导体建造（上海）股份有限公司（证券简称：中微公司，证券代码：688012）辛苦于为公共集成电路和LED芯片制造商提供当先的加工建造和工艺时期处理决策。中微公司设备的CCP高能等离子体和ICP板滞等离子体刻蚀两大类、包括二十几种细分刻蚀建造已不错掩饰大多量刻蚀的期骗。中微公司的等离子体刻蚀建造已被普通期骗于国内和国外一线客户，从65纳米到5纳米及更先进工艺的繁多刻蚀期骗。

中微公司最近十年珍摄设备多种导体和半导体化学薄膜建造开云体育，如MOCVD，LPCVD，ALD和EPI建造，并取得了可喜的逾越。中微公司设备的用于LED和功率器件外延片坐蓐的MOCVD建造早已在客户坐蓐线上插足量产，并在公共氮化镓基LED MOCVD建造市集占据当先地位。此外，中微公司已全面布局光学和电子束量检测建造，并设备多种泛半导体微不雅加工建造。这些建造齐是制造多样微不雅器件的要害建造，可加工和检测微米级和纳米级的多样器件。这些微不雅器件是当代数码产业的基础，它们正在改变东说念主类的坐蓐模样和生计模样。在好意思国TechInsights（原VLSI Research）近五年的公共半导体建造客户舒心度拜访中，中微公司四次赢得总评分第三，薄膜建造四次被评为第一。

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